WORD NF_ReadPage(WORD block,WORD page,BYTE* buffer)
{
int i;
WORD blockPage = (block << 5) + page;
BYTE* bufPt = buffer;
BYTE ECCbuf[6];
NF_RSTECC(); // 复位 ECC
NF_MainECCUnlock(); // 解锁本页 main 区域的 ECC 校验，允许生成 ECC 校验码
NF_nFCE_L();
NF_CLEAR_RB(); // 清 RnB 信号
NF_CMD( NF_CMD_RD1 ); // 从本页的上半部分开始读
NF_ADDR( 0 ); // 从本页的第一个列（字节）开始读
NF_ADDR( blockPage & 0xff ); // 这三行代码指明页号
NF_ADDR( ( blockPage >> 8 ) & 0xff );
NF_ADDR( ( blockPage >> 16 ) & 0xff );
NF_WAIT_RB();
// 往本页的 main 区里写入 buffer 里的内容
for(i=0 ; i<NF_MAINSIZE ; i++)
{
buffer[i] = NF_RDDATA8();
}
NF_MainECCLock(); // 锁定 main 区域的 ECC 校验码
NF_SpareECCUnlock(); // 解锁本页 spare 区域的 ECC 校验
// 读 spare 区域的前4个字节，即 main 区域的 ECC 校验码部分
for(i=0 ; i<4 ; i++)
{
ECCbuf[i] = NF_RDDATA8();
}
NF_SpareECCLock(); // 锁定 spare 区域的 ECC 校验码
// 读 spare 区域的第5，第6个字节，即 spare 区域的 ECC 校验码部分
for(i=4 ; i<6 ; i++)
{
ECCbuf[i] = NF_RDDATA8();
}
/* 下面就是验证 ECC 校验码了 */
if(( ECCbuf[0] == (NFMECCD0 & 0xff)) &&
( ECCbuf[1] == ((NFMECCD0 >> 16) & 0xff)) &&
( ECCbuf[2] == (NFMECCD1 & 0xff)) &&
( ECCbuf[3] == ((NFMECCD1 >> 16) & 0xff)) &&
( ECCbuf[4] == (NFSECCD & 0xff)) &&
( ECCbuf[5] == ((NFSECCD >> 16) & 0xff)))
{ // ECC 校验全部成功
NF_nFCE_H();
return 1;
}
else
{ // ECC 校验不成功
void NF_init()
{
//得到 TACLK，TWRPH0，TWRPH1
NF_TACLS = 1;
NF_TWRPH0 = 0;
NF_TWRPH1 = 0;
NFCONF = (NF_TACLS << 12) | (NF_TWRPH0 << 8) | (NF_TWRPH1 << 4) | (0 << 0); // 第0位清零，即8位IO
NFCONT = NFCONT_Val;
NF_RSTECC(); //复位 ECC
NF_Reset(); //复位 Nand Flash 外部芯片
}
void ReadOneSectorInfo(PBYTE RawSectorInfoBuf) ///< Read One SectorInfo by sizeof(SectorInfo)
{
int i;
// Initialize MECC Module
NF_RSTECC();
NF_MECC_UnLock();
for(i =0 ; i< 6; i++){ // Except Reserved2. Reserved2 area can vary
RawSectorInfoBuf[i] = NF_RDDATA_BYTE();
}
NF_MECC_Lock();
RawSectorInfoBuf[6] = NF_RDDATA_BYTE();
RawSectorInfoBuf[7] = NF_RDDATA_BYTE();
}
