/* Description:
when user used insmod to add module, system invoked init_module()
to initilize and register.
*/
int __init init_module(void)
{
switch(mode) {
case DM9KS_10MHD:
case DM9KS_100MHD:
case DM9KS_10MFD:
case DM9KS_100MFD:
media_mode = mode;
break;
default:
media_mode = DM9KS_AUTO;
}
dmfe_dev = dmfe_probe();
if(IS_ERR(dmfe_dev))
return PTR_ERR(dmfe_dev);
return 0;
}
/* Description:
when user used insmod to add module, system invoked init_module()
to initilize and register.
*/
int __init dm9000c_init(void)
{
volatile unsigned long *bwscon; // 0x48000000
volatile unsigned long *bankcon4; // 0x48000014
unsigned long val;
iobase = (int)ioremap(0x20000000, 1024); /* [email protected] */
irq = IRQ_EINT7; /* [email protected] */
/* 设置S3C2440的memory controller */
bwscon = ioremap(0x48000000, 4);
bankcon4 = ioremap(0x48000014, 4);
/* DW4[17:16]: 01-16bit
* WS4[18] : 0-WAIT disable
* ST4[19] : 0 = Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0])
*/
val = *bwscon;
val &= ~(0xf<<16);
val |= (1<<16);
*bwscon = val;
/*
* Tacs[14:13]: 发出片选信号之前,多长时间内要先发出地址信号
* DM9000C的片选信号和CMD信号可以同时发出,
* 所以它设为0
* Tcos[12:11]: 发出片选信号之后,多长时间才能发出读信号nOE
* DM9000C的T1>=0ns,
* 所以它设为0
* Tacc[10:8] : 读写信号的脉冲长度,
* DM9000C的T2>=10ns,
* 所以它设为1, 表示2个hclk周期,hclk=100MHz,就是20ns
* Tcoh[7:6] : 当读信号nOE变为高电平后,片选信号还要维持多长时间
* DM9000C进行写操作时, nWE变为高电平之后, 数据线上的数据还要维持最少3ns
* DM9000C进行读操作时, nOE变为高电平之后, 数据线上的数据在6ns之内会消失
* 我们取一个宽松值: 让片选信号在nOE放为高电平后,再维持10ns,
* 所以设为01
* Tcah[5:4] : 当片选信号变为高电平后, 地址信号还要维持多长时间
* DM9000C的片选信号和CMD信号可以同时出现,同时消失
* 所以设为0
* PMC[1:0] : 00-正常模式
*
*/
// *bankcon4 = (1<<8)|(1<<6); /* 对于DM9000C可以设Tacc为1, 对于DM9000E,Tacc要设大一点,比如最大值7 */
*bankcon4 = 0x1f7c;
//*bankcon4 = (7<<8)|(1<<6); /* MINI2440使用DM9000E,Tacc要设大一点 */
iounmap(bwscon);
iounmap(bankcon4);
switch(mode) {
case DM9KS_10MHD:
case DM9KS_100MHD:
case DM9KS_10MFD:
case DM9KS_100MFD:
media_mode = mode;
break;
default:
media_mode = DM9KS_AUTO;
}
dmfe_dev = dmfe_probe();
if(IS_ERR(dmfe_dev))
return PTR_ERR(dmfe_dev);
return 0;
}
