//18b20初始化函数 void Init_DS18B20(void) { unsigned char x=0; DQ_18B20 = 1; //DQ_18B20复位 delay_18B20(80); //稍做延时 DQ_18B20 = 0; //单片机将DQ_18B20拉低 delay_18B20(800); //精确延时 大于 480us DQ_18B20 = 1; //拉高总线 delay_18B20(100); x=DQ_18B20; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败 delay_18B20(50); }
void Init_DS18B20(void) { unsigned char x=0; DQ = 1; //DQ复位 delay_18B20(8); //稍做延时 DQ = 0; //单片机将DQ拉低 delay_18B20(80); //精确延时 大于 480us DQ = 1; //拉高总线 delay_18B20(14); x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败 delay_18B20(20); }
//写一个字节 void WriteOneChar(unsigned char dat) { unsigned char i=0; for (i=8; i>0; i--) { DQ_18B20 = 0; DQ_18B20 = dat&0x01; delay_18B20(50); DQ_18B20 = 1; dat>>=1; } delay_18B20(50); }
//读一个字节 unsigned char ReadOneChar(void) { unsigned char i=0; unsigned char dat = 0; for (i=8;i>0;i--) { DQ_18B20 = 0; // 给脉冲信号 dat>>=1; DQ_18B20 = 1; // 给脉冲信号 if(DQ_18B20) dat|=0x80; delay_18B20(50); } return(dat); }
void WriteOneChar(unsigned char dat) { unsigned char i=0; for (i=8; i>0; i--) { _nop_(); //保证两次写操作时间间隔1us以上 DQ = 0; _nop_(); //保证主机拉低总线1μs以上 DQ = dat&0x01; //向总线写入数据 delay_18B20(5); //写时间间隙必须最少持续60us DQ = 1; dat>>=1; } }
unsigned char ReadOneChar(void) { unsigned char i=0; unsigned char dat = 0; for (i=8; i>0; i--) { _nop_(); //保证两次读操作时间间隔1us以上 DQ = 0; // 给脉冲信号 _nop_(); //保证主机拉低总线1μs以上 dat>>=1; DQ = 1; // 给脉冲信号 if(DQ) //主机对总线采样的数 判断 dat|=0x80; delay_18B20(4); //等待读操作结束 } return(dat); }
//读取温度 unsigned char ReadTemperature(void) { unsigned char a=0; unsigned char b=0; unsigned char t=0; //float tt=0; Init_DS18B20(); WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换 delay_18B20(2000); Init_DS18B20(); WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等(共可读9个寄存器) 前两个就是温度 a=ReadOneChar(); b=ReadOneChar(); b<<=4; b+=(a&0xf0)>>4; t=b; //tt=t*0.0625; //t= tt*10+0.5; //放大10倍输出并四舍五入 return(t); }