//18b20初始化函数
void Init_DS18B20(void)
{
unsigned char x=0;
DQ_18B20 = 1; //DQ_18B20复位
delay_18B20(80); //稍做延时
DQ_18B20 = 0; //单片机将DQ_18B20拉低
delay_18B20(800); //精确延时 大于 480us
DQ_18B20 = 1; //拉高总线
delay_18B20(100);
x=DQ_18B20; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay_18B20(50);
}
void Init_DS18B20(void)
{
unsigned char x=0;
DQ = 1; //DQ复位
delay_18B20(8); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20(80); //精确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay_18B20(14);
x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay_18B20(20);
}
//写一个字节
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
DQ_18B20 = 0;
DQ_18B20 = dat&0x01;
delay_18B20(50);
DQ_18B20 = 1;
dat>>=1;
}
delay_18B20(50);
}
//读一个字节
unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
DQ_18B20 = 0; // 给脉冲信号
dat>>=1;
DQ_18B20 = 1; // 给脉冲信号
if(DQ_18B20)
dat|=0x80;
delay_18B20(50);
}
return(dat);
}
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
_nop_(); //保证两次写操作时间间隔1us以上
DQ = 0;
_nop_(); //保证主机拉低总线1μs以上
DQ = dat&0x01; //向总线写入数据
delay_18B20(5); //写时间间隙必须最少持续60us
DQ = 1;
dat>>=1;
}
}
unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8; i>0; i--)
{
_nop_(); //保证两次读操作时间间隔1us以上
DQ = 0; // 给脉冲信号
_nop_(); //保证主机拉低总线1μs以上
dat>>=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ) //主机对总线采样的数 判断
dat|=0x80;
delay_18B20(4); //等待读操作结束
}
return(dat);
}
//读取温度
unsigned char ReadTemperature(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned char b=0;
unsigned char t=0;
//float tt=0;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换
delay_18B20(2000);
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度
a=ReadOneChar();
b=ReadOneChar();
b<<=4;
b+=(a&0xf0)>>4;
t=b;
//tt=t*0.0625;
//t= tt*10+0.5; //放大10倍输出并四舍五入
return(t);
}
